棚本　哲史 (タナモト　テツフミ)

研究者情報

所属

• 情報科学科通信教育課程 教授
• 情報科学科通信教育課程 学科長

URL

https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201901007629846387

J-Global ID

• 201901007629846387

プロフィール

• 1991年4月 - 2019年3月 株式会社東芝 研究開発センター
  
  2019年4月 - 帝京大学理工学部情報電子工学科

研究分野

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
• 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

研究活動情報

論文

• Readout using resonant tunneling in silicon spin qubits

  Tetsufumi Tanamoto; Keiji Ono

  Journal of Applied Physics 134 21 2023年12月 [査読有り]
  
• SIMULATION OF DELAYED BUSES IN A DUMPLING STATE AND ANALYSIS OF MAXIMUM WAITING TIME USING LOGISTIC REGRESSION

  Tetsufumi TANAMOTO; Haruya SEKIGUCHI; Souta ORIMO; Taisei KAWAKAMI

  Transport Problems 18 2 171 - 180 2023年06月 [査読有り]
  
• Classical SPICE simulation of superconducting quantum circuits

  Tetsufumi Tanamoto; Toyofumi Ishikawa; Kunihiro Inomata; Shumpei Masuda; Tamio Omuma; Shiro Kawabata

  Applied Physics Express 16 3 034501 - 034501 2023年03月 [査読有り]
  
• SPICE compact model of controlling electrons of spin qubits using FinFET

  Elias A. Pérez-Rodríguez; María T. Orvañanos-Guerrero; Tetsufumi Tanamoto

  Japanese Journal of Applied Physics 62 SC SC1065 - SC1065 2023年02月 [査読有り]
  
• Five and three quantum dot systems as apparatuses for measuring energy levels

  Tetsufumi Tanamoto; Tomosuke Aono

  Physical Review B 106 12 2022年09月 [査読有り]
  
• Silicon quantum annealing machines using conventional CMOS devices

  Tetsufumi Tanamoto

  6th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2022 226 - 228 2022年 [査読有り][招待有り]
  
• Simulations of hybrid charge-sensing single-electron-transistors and CMOS circuits

  Tetsufumi Tanamoto; Keiji Ono

  Applied Physics Letters 119 17 2021年10月 [査読有り]
  
• Compact spin qubits using the common gate structure of fin field-effect transistors

  Tetsufumi Tanamoto; Keiji Ono

  AIP Advances 11 4 2021年04月 [査読有り]
  
• Generation of all-to-all connections in a two-dimensional qubit array with two-body interactions

  Tetsufumi Tanamoto

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 129 1 2021年01月 [査読有り]
  
• Impact of Switching Voltage on Complementary Steep-Slope Tunnel Field Effect Transistor Circuits

  Kimihiko Kato; Tetsufumi Tanamoto; Takahiro Mori; Yukinori Morita; Takashi Matsukawa; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi

  IEEE Transactions on Electron Devices 67 9 3876 - 3882 2020年09月 [査読有り]
  
• SPICE simulation of 32-kHz crystal-oscillator operation based on Si tunnel FET.

  Tetsufumi Tanamoto; Chika Tanaka; Shinichi Takagi

  IEICE Electron. Express 17 6 20200025 - 20200025 2020年 [査読有り]
  
• Reservoir Computing on Spin-Torque Oscillator Array

  Taro Kanao; Hirofumi Suto; Koichi Mizushima; Hayato Goto; Tetsufumi Tanamoto; Tazumi Nagasawa

  Phys. Rev. Applied 12 024052  2019年08月 [査読有り]
  
• Application of single-electron effects to fingerprints of chips using image recognition algorithms

  T. Tanamoto; Y. Nishi; K. Ono

  Applied Physics Letters 115 3 033504 - 033504 2019年07月 [査読有り]
  
• Quantum Annealing Machines Based on Semiconductor Nanostructures

  Tanamoto Tetsufumi; Nishi Yoshifumi; Deguchi Jun

  JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 88 6 2019年06月 [査読有り]
  
• Investigation of Electrical Characteristics of Vertical Junction Si n-Type Tunnel FET

  Huang Po-Chin; Tanamoto Tetsufumi; Goto Masakazu; Takenaka Mitsuru; Takagi Shinichi

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 65 12 5511 - 5517 2018年12月 [査読有り]
  
• Calculation of a capacitively-coupled floating gate array toward quantum annealing machine

  Tanamoto Tetsufumi; Higashi Yusuke; Deguchi Jun

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 124 15 2018年10月 [査読有り]
  
• Simulation of planar single-gate Si tunnel FET with average subthreshold swing of less than 60mV/decade for 0.3V operation

  Kentaro Kukita; Tadayoshi Uechi; Junji Shimokawa; Masakazu Goto; Yoshinori Yokota; Shigeru Kawanaka; Tetsufumi Tanamoto; Hiroyoshi Tanimoto; Shinichi Takagi

  Japanese Journal of Applied Physics 57 4 2018年04月 [査読有り]
  
• Artificial neuron operations and spike-timing-dependent plasticity using memristive devices for brain-inspired computing

  Takao Marukame; Yoshifumi Nishi; Shin-ichi Yasuda; Tetsufumi Tanamoto

  Japanese Journal of Applied Physics 57 4 2018年04月 [査読有り]
  
• SPICE simulation of tunnel FET aiming at 32 kHz crystal-oscillator operation.

  Tetsufumi Tanamoto; Chika Tanaka; Satoshi Takaya; Masato Koyama

  IEICE Electron. Express 15 3 20171232 - 20171232 2018年 [査読有り]
  
• Hole Spin Resonance and Spin-Orbit Coupling in a Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

  K. Ono; G. Giavaras; T. Tanamoto; T. Ohguro; X. Hu; F. Nori

  PHYSICAL REVIEW LETTERS 119 15 2017年10月 [査読有り]
  
• Work sharing of qubits in topological error corrections

  Tetsufumi Tanamoto; Hayato Goto

  PHYSICAL REVIEW A 96 2 2017年08月 [査読有り]
  
• Long-term reliable physically unclonable function based on oxide tunnel barrier breakdown on two-transistors two-magnetic-tunnel-junctions cell-based embedded spin transfer torque magnetoresistive random access memory

  Satoshi Takaya; Tetsufumi Tanamoto; Hiroki Noguchi; Kazutaka Ikegami; Keiko Abe; Shinobu Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 4 2017年04月 [査読有り]
  
• SPICE Simulation of tunnel FET aiming at 32 kHz crystal-oscillator operation.

  Tetsufumi Tanamoto; Chika Tanaka; Satoshi Takaya; Masato Koyama

  CoRR abs/1710.07375 2017年
• Physically unclonable function using initial waveform of ring oscillators on 65 nm CMOS technology.

  Tetsufumi Tanamoto; Satoshi Takaya; Nobuaki Sakamoto; Hirotsugu Kasho; Shinichi Yasuda; Takao Marukame; Shinobu Fujita; Yuichiro Mitani

  CoRR abs/1703.00073 4 2017年 [査読有り]
  
• Physically Unclonable Function Using an Initial Waveform of Ring Oscillators.

  Tetsufumi Tanamoto; Shinichi Yasuda; Satoshi Takaya; Shinobu Fujita

  IEEE Trans. Circuits Syst. II Express Briefs 64-II 7 827 - 831 2017年 [査読有り]
  
• Generation of chiral spin state by quantum simulation

  Tetsufumi Tanamoto

  PHYSICAL REVIEW B 93 23 2016年06月 [査読有り]
  
• High-Speed Magnetoresistive Random-Access Memory Random Number Generator Using Error-Correcting Code.

  Tetsufumi Tanamoto; Naoharu Shimomura; Sumio Ikegawa; Mari Matsumoto; Shinobu Fujita; Hiroaki Yoda

  CoRR abs/1606.03147 2016年
• Physically Unclonable Function using Initial Waveform of Ring Oscillators.

  Tetsufumi Tanamoto; Shinichi Yasuda; Satoshi Takaya; Shinobu Fujita

  CoRR abs/1605.03290 2016年
• Dynamic creation of a topologically-ordered Hamiltonian using spin-pulse control in the Heisenberg model

  Tetsufumi Tanamoto; Keiji Ono; Yu-xi Liu; Franco Nori

  SCIENTIFIC REPORTS 5 2015年06月 [査読有り]
  
• Dynamic creation of a topologically-ordered Hamiltonian using spin-pulse control in the Heisenberg model (vol 5, 10076, 2015)

  Tetsufumi Tanamoto; Keiji Ono; Yu-xi Liu; Franco Nori

  SCIENTIFIC REPORTS 6 2015年06月 [査読有り]
  
• Further Investigations on Traps Stabilities in Random Telegraph Signal Noise and the Application to a Novel Concept Physical Unclonable Function (PUF) with Robust Reliabilities

  Jiezhi Chen; Tetsufumi Tanamoto; Hiroki Noguchi; Yuichiro Mitani

  2015 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI TECHNOLOGY) 2015年 [査読有り]
  
• Effect of electron trap states on spin-dependent transport characteristics in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions investigated by Hanle effect measurements and inelastic electron tunneling spectroscopy

  Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto; Yoshiaki Saito

  APPLIED PHYSICS LETTERS 105 23 2014年12月 [査読有り]
  
• Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n+-Si junctions

  Yoshiaki Saito; Mizue Ishikawa; Tetsufumi Tanamoto; Tomoaki Inokuchi; Hideyuki Sugiyama; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka

  59th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2014) 2014年11月 [査読有り]
  
• Influence of interface roughness in CoFe/MgO/n+-Si junctions on spin accumulation and spin transport signals

  Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Tetsufumi Tanamoto; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka; Yoshiaki Saito

  59th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2014) 2014年11月 [査読有り]
  
• Extracting Physically Unclonable Function From Spin Transfer Switching Characteristics in Magnetic Tunnel Junctions

  Takao Marukame; Tetsufumi Tanamoto; Yuichiro Mitani

  IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 50 11 2014年11月 [査読有り]
  
• Effects of interface electric _eld on the magnetoresistance for nonlocal setup

  T. Tanamoto; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; Y. Saito

  International conference on solid state devices and materials (SSDM2014) 2014年09月 [査読有り]
  
• Large spin-accumulation signal in Si for epitaxial CoFe/highly (100)-textured MgO/Si devices

  H. Sugiyama; M. Ishikawa; T. Inokuchi; T. Tanamoto; Y. Saito; N. Tezuka

  Solid State Comm. 190 49 - 52 2014年04月 [査読有り]
  
• Local magnetoresistance through Si and its bias voltage dependence in ferromagnet/MgO/SOI lateral spin valves

  Y. Saito; T. Tanamoto; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka

  J. Appl. Phys. 115 17C514-1 - 17C514-3 2014年02月 [査読有り]
  
• Highly reliable and low-power nonvolatile cache memory with advanced perpendicular STT-MRAM for high-performance CPU.

  Hiroki Noguchi; Kazutaka Ikegami; Naoharu Shimomura; Tetsufumi Tanamoto; Junichi Ito; Shinobu Fujita

  IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers 1 - 2 2014年 [査読有り]
  
• Spin injection, detection and local magnetoresistance through Si at room temperature in ferrmagnet/MgO/Si lateral spin valves

  Y. Saito; M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; T. Tanamoto; N. Tezuka; K. Hamaya

  IEEE International nanoelectronics conference, 2014 (IEEE INEC 2014) 2014年 [査読有り][招待有り]
  
• Maximum magnitude in bias-dependent spin accumulation signals of CoFe/MgO/Si on insulator devices

  M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito

  J. Appl. Phys. 114 243904-1 - 243904-6 2013年12月 [査読有り]
  
• Implementation of standard quantum error-correction codes for solid-state qubits

  Tetsufumi Tanamoto

  PHYSICAL REVIEW A 88 6 2013年12月 [査読有り]
  
• Local magnetoresistance through Si at room temperature and its bias voltage dependence in CoFe/MgO/SOI lateral spin valves

  Y. Saito; T. Tanamoto; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Inokuchi; K. Hamaya; N. Tezuka

  58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2013 MMM Conference) HB-04  2013年11月 [査読有り]
  
• Inelastic electron tunneling spectroscopy study of CoFe/MgO/n+-Si junctions

  T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto; Y. Saito

  58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2013 MMM Conference) AX-06  2013年11月 [査読有り]
  
• Pseudosymmetric bias and correct estimation of Coulomb/confinement energy for unintentional quantum dot in channel of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

  K. Ono; T. Tanamoto; T. Ohguro

  Applied Physics Letters 103 18 2013年10月 [査読有り]
  
• Strategy for implementing stabilizer-based codes on solid-state qubits

  Tetsufumi Tanamoto; Vladimir M. Stojanovic; Christoph Bruder; Daniel Becker

  PHYSICAL REVIEW A 87 5 2013年05月 [査読有り]
  
• Dynamic generation of topologically protected self-correcting quantum memory

  Daniel Becker; Tetsufumi Tanamoto; Adrian Hutter; Fabio L. Pedrocchi; Daniel Loss

  Physical Review A - Atomic, Molecular, and Optical Physics 87 4 2013年04月 [査読有り]
  
• Detection of a Charged Two-Level System by Using the Kondo and the Fano-Kondo Effects in Quantum Dots

  Tetsufumi Tanamoto; Yu-xi Liu; Xuedong Hu; Franco Nori

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 4 2013年04月 [査読有り]
  
• Effects of interface resistance asymmetry on local and non-local magnetoresistance structures

  Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Yoshiaki Saito

  Japanese Journal of Applied Physics 52 4 2013年04月 [査読有り]
  
• A Reconfigurable Architecture based on spin MOSFET

  T. Tanamoto; H. Sugiyama; T. Inokuchi; M. Ishikawa; Y. Saito

  Trends in nanotechnology (TNT2013) 2013年 [査読有り][招待有り]
  
• Numerical Simulations of Automatic Change of Threshold Voltage Shift in SRAM With Double-Floating-Gate Structures

  Tetsufumi Tanamoto; Kosuke Tatsumura; Kiwamu Sakuma; Atsuhiro Kinoshita; Shinobu Fujita; Kouichi Muraoka

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 59 12 3255 - 3262 2012年12月 [査読有り]
  
• Spin-Based MOSFETs for Logic and Memory Applications and Spin Accumulation Signals in CoFe/Tunnel Barrier/SOI Devices

  Yoshiaki Saito; Mizue Ishikawa; Tomoaki Inokuchi; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto; Kohei Hamaya; Nobuki Tezuka

  IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 48 11 2739 - 2745 2012年11月 [査読有り]
  
• Asymmetric bias voltage dependence in spin accumulation signals observed by the three-terminal Hanle measurements for CoFe/MgO/SOI devices

  M. Ishikawa; T. Inokuchi; H. Sugiyama; T. Tanamoto; K. Hamaya; N. Tezuka; Y. Saito

  International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012) 2012年09月 [査読有り]
  
• Preserving universal resources for one-way quantum computing

  Tetsufumi Tanamoto; Daniel Becker; Vladimir M. Stojanovic; Christoph Bruder

  PHYSICAL REVIEW A 86 3 2012年09月 [査読有り]
  
• Steady-State Solution for Dark States Using a Three-Level System in Coupled Quantum Dots

  Tetsufumi Tanamoto; Keiji Ono; Franco Nori

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 2 2012年02月 [査読有り]
  
• Scalability of spin field programmable gate array: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor (vol 109, 07C312, 2011)

  Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 110 5 2011年09月 [査読有り]
  
• Spin injection, transport, and read/write operation in spin-based MOSFET

  Yoshiaki Saito; Takao Marukame; Tomoaki Inokuchi; Mizue Ishikawa; Hideyuki Sugiyama; Tetsufumi Tanamoto

  THIN SOLID FILMS 519 23 8266 - 8273 2011年09月 [査読有り]
  
• Spin-based MOSFET and its applications

  Y. Saito; T. Marukame; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto

  J. Electrochemical Soc. 158 H1068 - H1076 2011年08月 [査読有り]
  
• High-Speed Magnetoresistive Random-Access Memory Random Number Generator Using Error-Correcting Code

  Tetsufumi Tanamoto; Naoharu Shimomura; Sumio Ikegawa; Mari Matsumoto; Shinobu Fujita; Hiroaki Yoda

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 4 2011年04月 [査読有り]
  
• Scalability of spin field programmable gate arrary: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor

  Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 109 7 2011年04月 [査読有り]
  
• Scalability of spin FPGA: A Reconfigurable Architecture based on spin MOSFET

  Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Mizue Ishikawa; Kazutaka Ikegami; Yoshiaki Saito

  CoRR abs/1104.1493 2011年
• Nonvolatile configuration memory cell for low power field programmable gate array

  Shinichi Yasuda; Kazutaka Ikegami; Tetsufumi Tanamoto; Atsuhiro Kinoshita; Keiko Abe; Shinobu Fujita

  2011 3rd IEEE International Memory Workshop, IMW 2011 2011年 [査読有り]
  
• Spin-based MOSFET: a promising candidate for beyond CMOS device using nanotechnology

  Y. Saito; T. Inokuchi; M. Ishikawa; H. Sugiyama; T. Tanamoto

  he Seventh International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7) 2011年 [査読有り][招待有り]
  
• Numerical approach for retention characteristics of double floating-gate memories

  Tetsufumi Tanamoto; Kouichi Muraoka

  APPLIED PHYSICS LETTERS 96 2 2010年01月 [査読有り]
  
• Robustness of Charge-Qubit Cluster States to Double Quantum Point Contact Measurement

  Tetsufumi Tanamoto

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 4 2010年 [査読有り]
  
• Reconfigurable Characteristics of Spintronics-based MOSFETs for Nonvolatile Integrated Circuits

  Tomoaki Inokuchi; Takao Marukame; Tetsufumi Tanamoto; Hideyuki Sugiyama; Mizue Ishikawa; Yoshiaki Saito

  2010 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS 119 - 120 2010年 [査読有り]
  
• High-performance FPGA based on novel DSS-MOSFET and non-volatile configuration memory (abstract only).

  Shinichi Yasuda; Tetsufumi Tanamoto; Kazutaka Ikegami; Atsuhiro Kinoshita; Keiko Abe; Hirotaka Nishino; Shinobu Fujita

  FPGA 10 291 - 291 2010年 [査読有り]
  
• Noise characteristics of the Fano effect and the Fano-Kondo effect in triple quantum dots

  T. Tanamoto; Y. Nishi; S. Fujita

  JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 21 14 2009年04月 [査読有り]
  
• Efficient Quantum Circuits for One-Way Quantum Computing

  Tetsufumi Tanamoto; Yu-xi Liu; Xuedong Hu; Franco Nori

  PHYSICAL REVIEW LETTERS 102 10 2009年03月 [査読有り]
  
• NOISE CHARACTERISTICS OF THE FANO EFFECT AND FANO-KONDO EFFECT IN TRIPLE QUANTUM DOTS, AIMING AT CHARGE QUBIT DETECTION

  Tetsufumi Tanamoto; Yoshifumi Nishi; Shinobu Fujita

  PROCEEDINGS OF THE 9TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON FOUNDATIONS OF QUANTUM MECHANICS IN THE LIGHT OF NEW TECHNOLOGY 258 - 261 2009年 [査読有り]
  
• Perspectives and Issues in 3D-IC from Designers' Point of View.

  Shinobu Fujita; Keiko Abe; Kumiko Nomura; Shinichi Yasuda; Tetsufumi Tanamoto

  ISCAS: 2009 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS, VOLS 1-5 73 - 76 2009年 [査読有り]
  
• Efficient purification protocols using iSWAP gates in solid-state qubits

  Tetsufumi Tanamoto; Koji Maruyama; Yu-xi Liu; Xuedong Hu; Franco Nori

  PHYSICAL REVIEW A 78 6 2008年12月 [査読有り]
  
• Novel Look-Up Table Circuits Using Spin MOSFET

  H. Sugiyama; T. Tanamoto; T. Marukame; M. Ishikawa; T. Inokuchi; Y. Saito

  2008 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008) 2008年09月 [査読有り]
  
• Non-Stoichiometric SixN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor for Compact Random Number Generator with 0.3 Mbit/s Generation Rate

  Mari Matsumoto; Ryuji Ohba; Shin-ichi Yasuda; Ken Uchida; Tetsufumi Tanamoto; Shinobu Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 8 6191 - 6195 2008年08月 [査読有り]
  
• 1200μm2 Physical Random-Number Generators Based on SiN MOSFET for Secure Smart-Card Application.

  Mari Matsumoto; Shinichi Yasuda; Ryuji Ohba; Kazutaka Ikegami; Tetsufumi Tanamoto; Shinobu Fujita

  Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference 51 414 - 415 2008年 [査読有り]
  
• Single-electron random-number generator (RNG) for highly secure ubiquitous computing applications

  Ken Uchida; Tetsufumi Tanamoto; Shinobu Fujita

  SOLID-STATE ELECTRONICS 51 11-12 1552 - 1557 2007年11月 [査読有り]
  
• Fano-Kondo effect in a two-level system with triple quantum dots

  Tetsufumi Tanamoto; Yoshifumi Nishi

  PHYSICAL REVIEW B 76 15 2007年10月 [査読有り]
  
• Efficient one-step generation of large cluster states with solid-state circuits

  J. Q. You; Xiang-bin Wang; Tetsufumi Tanamoto; Franco Nori

  PHYSICAL REVIEW A 75 5 2007年05月 [査読有り]
  
• The effect of side traps on ballistic transistor in Kondo regime

  Tetsufumi Tanamoto; Ken Uchida; Shinobu Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 4B 2073 - 2075 2007年04月 [査読有り]
  
• Cluster states in charge qubits based on coupled quantum dots

  T. Tanamoto; S. Fujita; X. Hu; Y. -x. Liu; F. Nori

  PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B 893 1105 - + 2007年 [査読有り]
  
• Producing cluster states in charge qubits and flux qubits

  Tetsufumi Tanamoto; Yu-xi Liu; Shinobu Fujita; Xuedong Hu; Franco Nori

  PHYSICAL REVIEW LETTERS 97 23 2006年12月 [査読有り]
  
• The effect of local structure and non-uniformity on decoherence-free states of charge qubits

  Tetsufumi Tanamoto; Shinobu Fujita

  PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 34 1-2 530 - 533 2006年08月 [査読有り]
  
• Si Nanocrystal MOSFET with Silicon Nitride Tunnel Insulator for High-rate Random Number Generation.

  Ryuji Ohba; Daisuke Matsushita; Koichi Muraoka; Shinichi Yasuda; Tetsufumi Tanamoto; Ken Uchida; Shinobu Fujita

  IEEE COMPUTER SOCIETY ANNUAL SYMPOSIUM ON VLSI, PROCEEDINGS 231 - 236 2006年 [査読有り]
  
• 3D Nanowire-Based Programmable Logic.

  Benjamin Gojman; Raphael Rubin; Concetta Pilotto; André DeHon; Tetsufumi Tanamoto

  2006 1st International Conference on Nano-Networks and Workshops 1 - 5 2006年 [査読有り]
  
• Measurement of two-qubit states with quantum point contacts coupled by a quantum dot

  Tetsufumi Tanamoto; Xuedong Hu

  Journal of Physics Condensed Matter 17 43 6895 - 6909 2005年11月 [査読有り]
  
• Device simulations in coupled floating-gate memories

  T Tanamoto; R Ohba; S Yasuda; K Abe; S Fujita

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 8 6349 - 6353 2005年08月 [査読有り]
  
• Decoherence-free states for charge qubits under local nonuniformity

  T Tanamoto; S Fujita

  PHYSICAL REVIEW B 72 8 2005年08月 [査読有り]
  
• Physical random number generators for cryptographic application in mobile devices

  Shinichi Yasuda; Tetsufumi Tanamoto; Ryuji Ohba; Keiko Abe; Hanae Nozaki; Shinobu Fujita

  Proceedings of ESSCIRC 2005: 31st European Solid-State Circuits Conference 399 - 402 2005年 [査読有り]
  
• Physical random number generator based on MOS structure after soft breakdown

  Shinichi Yasuda; Hideki Satake; Tetsufumi Tanamoto; Ryuji Ohba; Ken Uchida; Shinobu Fujita

  IEEE Journal of Solid-State Circuits 39 8 1375 - 1377 2004年08月 [査読有り]
  
• Measurement of two-qubit states by a two-island single-electron transistor

  T Tanamoto; XD Hu

  PHYSICAL REVIEW B 69 11 2004年03月 [査読有り]
  
• Noise power spectrum of a long-channel current line with electron traps: Slave-boson mean field theory

  T Tanamoto; R Ohba; K Uchida; S Fujita

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 94 6 3979 - 3983 2003年09月 [査読有り]
  
• Ultra Small Random Number Generating Circuits With A Novel Noise Source Device

  Shinichi Yasuda; Hideki Satake; Hanae Nozaki; Tetsufumi Tanamoto; Ryuji Ohba; Ken Uchida; Atsuhiro Kinoshita; Shinobu Fujita

  Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials 2003年
• Ultra-small physical random number generators based on Si NanoDevices for security systems and comparison to other large physical random number generators

  S Yasuda; K Uchida; T Tanamoto; R Ohba; S Fujita

  2003 THIRD IEEE CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY, VOLS ONE AND TWO, PROCEEDINGS 531 - 534 2003年 [査読有り]
  
• Narrow-channel-MOSFET having Si-dots for high-rate generation of random numbers

  R Ohba; S Yasuda; T Tanamoto; K Uchida; S Fujita

  2003 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 745 - 748 2003年 [査読有り]
  
• Novel random number generators based on Si nanodevices for mobile communication security systems

  S Fujita; K Uchida; S Yasuda; R Ohba; T Tanamoto

  NANOTECH 2003, VOL 3 309 - 312 2003年 [査読有り]
  
• Qubit system in capacitively coupled semiconductor quantum dots

  T Tanamoto

  SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 31 2-4 151 - 157 2002年02月 [査読有り]
  
• Single-electron random-number generator (RNG) for highly secure ubiquitous computing applications

  K Uchida; T Tanamoto; R Ohba; S Yasuda; S Fujita

  INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES 2002 MEETING, TECHNICAL DIGEST 177 - 180 2002年 [査読有り]
  
• One- and two-dimensional N-qubit systems in capacitively coupled quantum dots

  T Tanamoto

  PHYSICAL REVIEW A 64 6 2001年12月 [査読有り]
  
• Coulomb blockade effects in coupled quantum dots: Theory based on the Keldysh Green's function method

  T Tanamoto

  PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II 87 1105 - 1106 2001年 [査読有り]
  
• Quantum gates by coupled asymmetric quantum dots and controlled-NOT-gate operation

  T Tanamoto

  PHYSICAL REVIEW A 61 2 2000年02月 [査読有り]
  
• Quantum gates by coupled quantum dots and measurement procedure in field-effect-transistor structure

  T Tanamoto

  FORTSCHRITTE DER PHYSIK-PROGRESS OF PHYSICS 48 9-11 1005 - 1021 2000年 [査読有り]
  
• Quantum gates by coupled quantum dots and measurement procedure in Si MOSFET

  T Tanamoto

  PHYSICA B 272 1-4 45 - 48 1999年12月 [査読有り]
  
• Effects of resonant tunneling on magnetoresistance through a quantum dot

  T Tanamoto; S Fujita

  PHYSICAL REVIEW B 59 7 4985 - 4991 1999年02月 [査読有り]
  
• Interplay between the Coulomb blockade and resonant tunneling studied by the Keldysh Green's-function method

  T Tanamoto; M Ueda

  PHYSICAL REVIEW B 57 23 14638 - 14641 1998年06月 [査読有り]
  
• Coulomb blockade and enhancement of magnetoresistance change in ultrasmall ferromagnetic tunnel junctions

  S Iwabuchi; T Tanamoto; R Kitawaki

  PHYSICA B-CONDENSED MATTER 249 276 - 280 1998年06月 [査読有り]
  
• Coulomb blockade and higher order tunneling effect on magnetoresistance in ultrasmall ferromagnetic tunnel junctions

  S Iwabuchi; T Tanamoto; R Kitawaki

  SECOND INTERNATIONAL WORKSHOP ON PHYSICS AND MODELING OF DEVICES BASED ON LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, PROCEEDINGS 78 - 82 1998年 [査読有り]
  
• A percolation approach to dielectric breakdown statistics

  T Tanamoto; A Toriumi

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 36 3B 1439 - 1442 1997年03月 [査読有り]
  
• FUNDAMENTAL-STUDIES ON QUANTUM INTERCONNECTIONS BETWEEN BALLISTIC ELECTRONS AND CELLULAR ARCHITECTURE

  Y NARUSE; R KATOH; T TANAMOTO; M SABA; S TAKAHASHI

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 33 12B L1766 - L1768 1994年12月 [査読有り]
  
• A Novel Quantum Cellular Automata Logic with Loop Structures

  Tanamoto Tetsufumi; Katoh Riichi; Naruse Yujiro

  Jpn J Appl Phys 33 10 L1502 - L1505 社団法人応用物理学会 1994年10月
• VALLEY CURRENT OF 3-DIMENSIONAL RESONANT-TUNNELING DIODE STUDIED BY THE IMPROVED OPTICAL-MODEL

  Y ZOHTA; T TANAMOTO

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 76 4 2343 - 2346 1994年08月 [査読有り]
  
• MAGNETIC-PROPERTIES OF EXTENDED T-J MODEL .2. DYNAMICAL PROPERTIES

  T TANAMOTO; H KOHNO; H FUKUYAMA

  JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 63 7 2739 - 2759 1994年07月 [査読有り]
  
• MAGNETIC-PROPERTIES OF EXTENDED T-J MODEL .1. STATIC PROPERTIES

  T TANAMOTO; H KOHNO; H FUKUYAMA

  JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 62 2 717 - 730 1993年02月 [査読有り]
  
• MAGNETIC-PROPERTIES OF T-J MODEL

  T TANAMOTO; K KUBOKI; H FUKUYAMA

  JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 60 9 3072 - 3092 1991年09月 [査読有り]
  

MISC

• PUFによる個体認証セキュリティ技術へのランダムテレグラフノイズの適用

  陳 杰智; 棚本 哲史; 三谷 祐一郎 東芝レビュー = Toshiba review 71 (2) 23 -26 2016年02月
• 招待講演 垂直磁化型STT-MRAMを用いたノーマリオフコンピューティング (コンピュータシステム) -- (学生・若手研究会)

  野口 紘希; 池上 一隆; 下村 尚治; 棚本 哲史; 伊藤 順一; 藤田 忍 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (346) 107 -112 2014年12月
• 招待講演 垂直磁化型STT-MRAMを用いたノーマリオフコンピューティング (集積回路) -- (学生・若手研究会)

  野口 紘希; 池上 一隆; 下村 尚治; 棚本 哲史; 伊藤 順一; 藤田 忍 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (345) 107 -112 2014年12月
• 8pAV-6 短チャネルMOSFETにおける電子スピン共鴫とスピン軌道相互作用(8pAV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  大野 圭司; 棚本 哲史; 大黒 達也; Giavaras G; Nori F 日本物理学会講演概要集 69 (0) 479 -479 2014年
• 29pAU-4 短チャネルシリコンMOSFETにおけるストレス電圧による欠陥の生成とその量子ドット的輸送現象(29pAU 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  大野 圭司; 棚本 哲史; 大黒 達也 日本物理学会講演概要集 69 (0) 718 -718 2014年
• 29aXQ-6 部分窒化された酸化膜をもつシリコンMOSトランジスタにおける量子ドット的輸送現象(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  大野 圭司; 棚本 哲史; 大黒 達也 日本物理学会講演概要集 68 (0) 784 -784 2013年
• セキュリティネットワークを支える物理乱数生成技術[IV] : 先端半導体デバイスを用いた物理乱数生成回路

  棚本 哲史; 下村 尚治; 松本 麻里; 大場 竜二; 安田 心一; 池川 純夫; 藤田 忍; 與田 博明 電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95 (2) 137 -141 2012年02月
• 先端メモリ及びロジックICへ向けたスピンMOSFET技術

  井口 智明; 棚本 哲史; 斉藤 好昭 東芝レビュー 66 (11) 40 -43 2011年11月
• 23pTM-10 結合量子ドット三準位系における暗状態の定常解(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  棚本 哲史; 大野 圭司; Nori Franco 日本物理学会講演概要集 66 (0) 697 -697 2011年
• 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用

  井口 智明; 丸亀 孝生; 棚本 哲史; 杉山 英行; 石川 瑞恵; 斉藤 好昭 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110 (182) 125 -129 2010年08月
• 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用

  井口 智明; 丸亀 孝生; 棚本 哲史; 杉山 英行; 石川 瑞恵; 斉藤 好昭 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 110 (183) 125 -129 2010年08月
• メタマテリアル

  目良 裕; 近藤 公伯; 田中 英行; 棚本 哲史 應用物理 78 (6) 502 -502 2009年06月
• 広がる超伝導技術 : 量子コンピューターへの展開

  鵜澤 佳徳; 小林 慶裕; 棚本 哲史; 和田 健司 應用物理 78 (1) 2 -2 2009年01月
• 27aVE-5 量子ビットにおけるiSWAPゲートを用いた効率的な純粋化プロトコル(27aVE 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  棚本 哲史; Hu X; Liu Y. X; Nori F; 丸山 耕司 日本物理学会講演概要集 64 (0) 681 -681 2009年
• 編集にあたって

  和田 健司; 植村 哲也; 重川 秀実; 棚本 哲史; 原 一広 應用物理 77 (8) 902 -902 2008年08月
• C-12-43 SiN MOSFETと論理ゲートから構成される物理乱数生成回路(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)

  池上 一隆; 安田 心一; 松本 麻里; 大場 竜二; 棚本 哲史; 藤田 忍 電子情報通信学会総合大会講演論文集 2008 (2) 133 -133 2008年03月
• 22pYF-5 超伝導量子ビットにおける効率的なone-way computing(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  棚本 哲史; Hu X; Liu Y; Nori F 日本物理学会講演概要集 63 (0) 614 -614 2008年
• Fano-Kondo effect in three quantum dots aiming at charge qubit measurement

  TANAMOTO Tetsufumi; NISHI Yoshifumi; FUJITA Shinobu Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 1124 -1125 2007年09月
• 24pTH-7 非一様環境下における電荷量子ビットクラスター状態のロバスト性(量子ドット(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

  棚本 哲史; Hu X; Liu Y; Nori F 日本物理学会講演概要集 62 (0) 716 -716 2007年
• 20pRC-9 電荷量子ビットにおけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

  棚本 哲史; 西 義史 日本物理学会講演概要集 62 (0) 684 -684 2007年
• The effect of side-traps on ballistic transistor in Kondo regime

  TANAMOTO Tetsufumi; UCHIDA Ken; FUJITA Shinobu Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 354 -355 2006年09月
• Random Number Generator with 0.3MHz Generation Rate using Non-Stoichiometric Si_xN MOSFET

  MATSUMOTO Mari; OHBA Ryuji; YASUDA Shinichi; UCHIDA Ken; TANAMOTO Tetsufumi; FUJITA Shinobu Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 280 -281 2006年09月
• 超小型乱数発生素子 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)

  棚本 哲史; 大場 竜二; 藤田 忍 東芝レビュー 61 (2) 15 -18 2006年02月
• 24aXJ-3 電荷及び磁束量子ビットにおけるクラスター状態の形成方法(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  棚本 哲史; 藤田 忍; Hu X; Liu Y; Nori F; Li Yu-Xi 日本物理学会講演概要集 61 (0) 534 -534 2006年
• 情報セキュリティ向け超小型物理乱数生成回路

  安田 心一; 棚本 哲史; 大場 竜二; 安部 恵子; 野崎 華恵; 藤田 忍 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 105 (476) 1 -5 2005年12月
• 19pWF-2 電荷量子ビットのデコヒーレンス・フリー状態への局所的不均一性の効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  棚本 哲史; 藤田 忍 日本物理学会講演概要集 60 (0) 521 -521 2005年
• Measurement of Two-Qubit States using a Two-Island Single Electron Transistor

  TANAMOTO Tetsufumi; FUJITA Shinobu; HU Xuedong Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 112 -113 2004年09月
• 暗号セキュリティ向け乱数生成回路用シリコンナノデバイス

  藤田 忍; 内田 建; 安田 心一; 大場 竜二; 野崎 華恵; 棚本 哲史 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 104 (67) 47 -52 2004年05月
• 12pYC-9 量子細線脇におかれた量子ドットの伝導に与える効果(量子細線, 領域 4)

  棚本 哲史; 大場 竜二; 安田 心一; 安部 恵子; 藤田 忍 日本物理学会講演概要集 59 (0) 591 -591 2004年
• 29pYA-14 単一電子素子による二量子ビットの観測理論(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)

  棚本 哲史 日本物理学会講演概要集 59 (0) 698 -698 2004年
• シリコン単電子素子とその応用

  内田 建; 棚本 哲史; 古賀 淳二; 大場 竜二; 安田 心一; 藤田 忍 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102 (638) 1 -6 2003年02月
• シリコン単電子素子とその応用

  内田 建; 棚本 哲史; 古賀 淳二; 大場 竜二; 安田 心一; 藤田 忍 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102 (640) 1 -6 2003年02月
• 22aTH-3 量子ポイントコンタクトによる二量子ビットの観測理論

  棚本 哲史 日本物理学会講演概要集 58 (0) 591 -591 2003年
• 27aYN-3 結合量子ドットによる量子ゲートと電界効果による測定過程

  棚本 哲史 日本物理学会講演概要集 56 (0) 89 -89 2001年
• 28a-F-12 量子ドットにおける共鳴トンネル磁気抵抗効果の解析

  棚本 哲史; 藤田 忍 日本物理学会講演概要集 54 (0) 377 -377 1999年
• The Possibility of Higher Temperature Operation in Quantum Cellular Automata (QCA)

  TANAMOTO Tetsufumi; KATOH Riichi IEICE transactions on electronics 79 (11) 1550 -1556 1996年11月
• 磁気励起,とくに中性子散乱を見て

  福山 秀敏; 河野 浩; 棚本 哲史 日本物理學會誌 49 (7) 574 -575 1994年07月
• 量子配線の概念拡張に関する基礎検討

  成瀬 雄二郎; 加藤 理一; 棚本 哲史; 佐波 実; 高橋 茂樹; 造田 安民 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 94 (22) 15 -22 1994年04月
• 量子配線QICの基礎検討

  加藤 理一; 棚本 哲史; 成瀬 雄二郎 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 94 (22) 23 -29 1994年04月
• 高温超伝導体の凝縮対はｓ型か，ｄ型か 磁気励起，とくに中性子散乱を見て

  福山 秀敏; 河野 浩; 棚本 哲史 日本物理学会誌 49 (7) 574 -575 1994年
• 4p-J-1 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良II

  造田 安民; 棚本 哲史 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1994 (0) 138 -138 1994年
• 4a-J-1 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良II

  造田 安民; 棚本 哲史 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1994 (0) 343 -343 1994年
• IMPROVED OPTICAL-MODEL FOR RESONANT-TUNNELING DIODE

  Y ZOHTA; T TANAMOTO JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 74 (11) 6996 -6998 1993年12月
• SPIN EXCITATIONS OF THE EXTENDED T-J MODEL - NEUTRON-SCATTERING

  T TANAMOTO; H KOHNO; H FUKUYAMA JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 62 (5) 1455 -1458 1993年05月
• 12a-K-6 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良

  造田 安民; 棚本 哲史 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993 (0) 128 -128 1993年
• 12a-K-6 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良

  造田 安民; 棚本 哲史 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993 (0) 1993年
• 30p-N-7 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響II

  浩田 安民; 棚本 哲史; 野津 哲郎; 津田 邦男; 小原 正生 日本物理学会講演概要集. 年会 48 (0) 153 -153 1993年
• 30a-J-11 拡張t-J模型における磁気励起:II

  棚本 哲史; 河野 浩; 福山 秀敏 日本物理学会講演概要集. 年会 48 (0) 258 -258 1993年
• 30p-PSA-10 t-J模型における中性子散乱II

  棚本 哲史; 河野 浩; 福山 秀敏 日本物理学会講演概要集. 年会 48 (0) 292 -292 1993年
• FERMI-SURFACE AND SPIN FLUCTUATIONS IN EXTENDED T-J MODEL

  T TANAMOTO; H KOHNO; H FUKUYAMA JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 61 (6) 1886 -1890 1992年06月
• 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響

  造田 安民; 棚本 哲史; 野津 哲郎; 津田 邦男; 小原 正生 秋の分科会予稿集 1992 (0) 129 -129 1992年
• 26a-R-2 拡張t-J模型における磁気励起

  棚本 哲史; 河野 浩; 福山 秀敏 秋の分科会予稿集 1992 (0) 293 -293 1992年
• 26p-PSB-2 t-J模型における中性子散乱

  河野 浩; 棚本 哲史; 福山 秀敏 秋の分科会予稿集 1992 (0) 325 -325 1992年
• 25p-Y-2 ゲージ場とスピン励起

  久保木 一浩; 棚本 哲史; 福山 秀敏 春の分科会講演予稿集 1991 (0) 166 -166 1991年
• 29p-ZC-1 t-J模型の磁気的性質

  福山 秀敏; 久保木 一浩; 棚本 哲史 年会講演予稿集 46 (0) 174 -174 1991年
• 斜方晶系におけるスピン液体

  棚本 哲史; 福山 秀敏 秋の分科会予稿集 1990 (0) 385 -385 1990年

共同研究・競争的資金等の研究課題

• スピン量子性に基づくデバイス指紋(量子指紋)の生成と抽出

  日本学術振興会：科学研究費助成事業

  研究期間 : 2022年04月 -2026年03月 

  代表者 : 棚本 哲史; 大野 圭司; 平本 俊郎